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全功能RAM分析測(cè)試儀

全功能RAM分析測(cè)試儀

產(chǎn)品型號(hào): IST6500

所屬分類:集成電路測(cè)試儀

產(chǎn)品時(shí)間:2024-05-07

簡(jiǎn)要描述:具有Sorting功能,可將從ATE中淘汰下來(lái)的DRAM(含任何封裝形式),自動(dòng)作內(nèi)部從新組合(將損壞部份之I/O線路Disable),即可再使用。

詳細(xì)說(shuō)明:

產(chǎn)品特點(diǎn): 
·具有Sorting功能,可將從ATE中淘汰下來(lái)的DRAM(含任何封裝形式),
自動(dòng)作內(nèi)部從新組合(將損壞部份之I/O線路Disable),即可再使
用。
·內(nèi)建有可設(shè)定的動(dòng)態(tài)負(fù)載(dynamicloading)及雙臨界值、超快速之比
較器,對(duì)于測(cè)試中常須驅(qū)動(dòng)資科匯流排上高電容及低電阻負(fù)載時(shí),相
當(dāng)有用。
·提供基本型、加強(qiáng)型、快檢型及自行定義型的測(cè)試圓形
(testpatterm)。
·對(duì)工作電流(1ccl),備用電流(1cc2)及資料保持電流(1dr)提供了精
確的量測(cè)及GO/NOGO測(cè)試。廣大的測(cè)試范圍之種類:記憶容量范圍從
4K x 1-l6Mx1,1K x 4-4M x 4,2K x 8-512K x8。SIMM之腳數(shù)有
30pin,64pin,72pin,200pin。適用封裝方式
DIP.ZIP.SOJ.SIP.PLCC及TSOP。
·DRAM的動(dòng)態(tài)參數(shù)Trad.Trcd(解析度為1ns)及刷新間隔*可依電路的
要求來(lái)設(shè)定,此實(shí)時(shí)的功能測(cè)試,避免了在儀器上測(cè)誠(chéng)是好的,但實(shí)
際在工作中卻是壞的困擾。
·主機(jī)采用插入式模塊設(shè)計(jì),可隨時(shí)做功能提升
·對(duì)DRAM、SIMM.SRAM及PCMCIA卡提供實(shí)時(shí)的功能分析測(cè)試。
·具有2ns解析度及多種測(cè)量模式的精準(zhǔn)存取時(shí)間量測(cè)(Tace.Taa,
Trac,Tcac)。
·使用DMA及高速硬體測(cè)試電路,大量降低測(cè)試時(shí)間。 
 



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